Вопросы по дисциплине:
Периферийные устройства
Сбросить фильтр
| № | Вопрос | Действия |
|---|---|---|
| 691 | Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами | Открыть |
| 692 | Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы | Открыть |
| 693 | Быстродействие IGBT транзистора | Открыть |
| 694 | Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между | Открыть |
| 695 | В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить | Открыть |
| 696 | Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между | Открыть |
| 697 | По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает | Открыть |
| 698 | По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает | Открыть |
| 699 | IGBT транзистор не находит применение в области | Открыть |
| 700 | Высокой температурной устойчивостью не обладает | Открыть |